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STP34NM60ND

Schottky Diodes u0026 Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件:STP34NM60ND

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
其他特性
ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)
345 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
29 A
最大漏极电流 (ID)
29 A
最大漏源导通电阻
0.11 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
210 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
116 A
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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