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T-IXTD20N60

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
IXYS
包装说明
UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code
unknown
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏源导通电阻
0.35 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-XUUC-N2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
UNCASED CHIP
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
晶体管元件材料
SILICON
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器件捷径:
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