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TIP112-DR6280

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Harris

厂商官网：http://www.harris.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Harris
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
2 A
基于收集器的最大容量
100 pF
集电极-发射极最大电压
100 V
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
500
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
50 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
2.5 V
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