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TLC193MJGB

Dual Micropower LinCMOS™ Comparator 8-CDIP -55 to 125

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
放大器类型
COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)
0.03 µA
最大输入失调电压
10000 µV
JESD-30 代码
R-GDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.58 mm
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
输出类型
OPEN-DRAIN
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5/10 V
认证状态
Not Qualified
标称响应时间
2500 ns
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
5.08 mm
最大压摆率
0.02 mA
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
参数对比
与TLC193MJGB相近的元器件有:TLC393QDRG4、TLC393IPWG4、TLC393CPSG4、5962-9555101NXDR、5962-9555101QPA、TLC193、TLC393。描述及对比如下:
型号 TLC193MJGB TLC393QDRG4 TLC393IPWG4 TLC393CPSG4 5962-9555101NXDR 5962-9555101QPA TLC193 TLC393
描述 Dual Micropower LinCMOS™ Comparator 8-CDIP -55 to 125 Dual, Micropower, LinCMOS™ Voltage Comparator 8-SOIC Dual, Micropower, LinCMOS™ Voltage Comparator 8-TSSOP -40 to 85 Analog Comparators Dual,Micropower,Lin CMOS Vltg Comparator Dual Micropower LinCMOS™ Comparator 8-SOIC Dual Micropower LinCMOS™ Comparator 8-CDIP -55 to 125 TLC193 Dual Micropower LinCMOS™ Comparator TLC393 Dual, Micropower, LinCMOS™ Voltage Comparator
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - Texas Instruments Texas Instruments - -
零件包装代码 DIP SOIC SOIC - SOIC DIP - -
包装说明 DIP, DIP8,.3 SOIC-8 TSSOP, TSSOP8,.25 - SOP, DIP, DIP8,.3 - -
针数 8 8 8 - 8 8 - -
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant - compliant not_compliant - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 - -
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 6 weeks - 6 weeks 6 weeks - -
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR - COMPARATOR COMPARATOR - -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.03 µA 0.000002 µA 0.002 µA - 0.00003 µA 0.00003 µA - -
最大输入失调电压 10000 µV 10000 µV 7000 µV - 10000 µV 10000 µV - -
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 R-GDIP-T8 - -
长度 9.58 mm 4.9 mm 4.4 mm - 4.9 mm 9.58 mm - -
功能数量 2 2 2 - 2 2 - -
端子数量 8 8 8 - 8 8 - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 85 °C - 125 °C 125 °C - -
最低工作温度 -55 °C -40 °C -40 °C - -55 °C -55 °C - -
输出类型 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN - OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN - -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED - -
封装代码 DIP SOP TSSOP - SOP DIP - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE IN-LINE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 - 260 NOT SPECIFIED - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Qualified - -
标称响应时间 2500 ns 2500 ns 2500 ns - 2500 ns 2500 ns - -
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm 1.2 mm - 1.75 mm 5.08 mm - -
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA - 0.04 mA 0.02 mA - -
供电电压上限 18 V 18 V 18 V - 18 V 18 V - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V - -
表面贴装 NO YES YES - YES NO - -
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS - -
温度等级 MILITARY AUTOMOTIVE INDUSTRIAL - MILITARY MILITARY - -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING - GULL WING THROUGH-HOLE - -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 0.65 mm - 1.27 mm 2.54 mm - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
宽度 7.62 mm 3.9 mm 3 mm - 3.9 mm 7.62 mm - -
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