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TLV9052IDR

5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-SOIC -40 to 125
5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器 8-SOIC -40 to 125

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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器件:TLV9052IDR

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
SOIC-8
Reach Compliance Code
compliant
Factory Lead Time
6 weeks
Samacsys Description
Dual 5MHz, 15V/us high slew-rate, RRIO op amp
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)
0.000002 µA
标称共模抑制比
96 dB
最大输入失调电压
1600 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.905 mm
湿度敏感等级
2
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
座面最大高度
1.75 mm
标称压摆率
15 V/us
最大压摆率
0.9 mA
供电电压上限
6 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
5000 kHz
宽度
3.895 mm
参数对比
与TLV9052IDR相近的元器件有:TLV9052IPWR、TLV9052IDGKR、TLV9052IDSGR、TLV9052。描述及对比如下:
型号 TLV9052IDR TLV9052IPWR TLV9052IDGKR TLV9052IDSGR TLV9052
描述 5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-SOIC -40 to 125 5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-TSSOP -40 to 125 5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-VSSOP -40 to 125 5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-WSON -40 to 125 5MHz, 15V/us High Slew-Rate, RRIO Op Amp 8-SOT-23-THIN -40 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments -
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) -
包装说明 SOIC-8 TSSOP, VSSOP-8 HVSON, -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant -
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 6 weeks 6 weeks -
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000002 µA 0.000002 µA 0.000002 µA 0.000002 µA -
标称共模抑制比 96 dB 96 dB 96 dB 96 dB -
最大输入失调电压 1600 µV 1600 µV 1600 µV 1600 µV -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 S-PDSO-N8 -
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 -
长度 4.905 mm 4.4 mm 3 mm 2 mm -
湿度敏感等级 2 2 2 2 -
功能数量 2 2 2 2 -
端子数量 8 8 8 8 -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP TSSOP TSSOP HVSON -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 -
座面最大高度 1.75 mm 1.2 mm 1.1 mm 0.8 mm -
标称压摆率 15 V/us 15 V/us 15 V/us 15 V/us -
最大压摆率 0.9 mA 0.9 mA 0.9 mA 0.9 mA -
供电电压上限 6 V 6 V 6 V 6 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 YES YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD -
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.5 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
标称均一增益带宽 5000 kHz 5000 kHz 5000 kHz 5000 kHz -
宽度 3.895 mm 3 mm 3 mm 2 mm -
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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