首页 > 器件类别 > 嵌入式处理器和控制器 > 微控制器和处理器

TM4C129CNCZADT3

High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 105

器件类别:嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

器件标准:

敬请期待
TM4C129CNCZADT3 在线购买

供应商:

器件:TM4C129CNCZADT3

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
VFBGA,
Reach Compliance Code
compli
Factory Lead Time
6 weeks
具有ADC
YES
地址总线宽度
28
位大小
32
边界扫描
YES
CPU系列
CORTEX-M4
最大时钟频率
25 MHz
DAC 通道
NO
DMA 通道
YES
外部数据总线宽度
32
格式
FLOATING POINT
集成缓存
YES
JESD-30 代码
S-PBGA-B212
JESD-609代码
e1
长度
10 mm
低功率模式
YES
湿度敏感等级
3
DMA 通道数量
32
外部中断装置数量
I/O 线路数量
140
串行 I/O 数
7
端子数量
212
计时器数量
8
片上数据RAM宽度
8
片上程序ROM宽度
8
最高工作温度
105 °C
最低工作温度
-40 °C
PWM 通道
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VFBGA
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
RAM(字节)
262144
RAM(字数)
256
ROM(单词)
1048576
ROM可编程性
FLASH
座面最大高度
1 mm
速度
120 MHz
最大压摆率
110.6 mA
最大供电电压
1.32 V
最小供电电压
1.14 V
标称供电电压
1.2 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.5 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
10 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型
MICROCONTROLLER, RISC
参数对比
与TM4C129CNCZADT3相近的元器件有:TM4C129CNCZADI3R。描述及对比如下:
型号 TM4C129CNCZADT3 TM4C129CNCZADI3R
描述 High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 105 High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 VFBGA, VFBGA,
Reach Compliance Code compli compli
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
具有ADC YES YES
地址总线宽度 28 28
位大小 32 32
边界扫描 YES YES
CPU系列 CORTEX-M4 CORTEX-M4
最大时钟频率 25 MHz 25 MHz
DAC 通道 NO NO
DMA 通道 YES YES
外部数据总线宽度 32 32
格式 FLOATING POINT FLOATING POINT
集成缓存 YES YES
JESD-30 代码 S-PBGA-B212 S-PBGA-B212
JESD-609代码 e1 e1
长度 10 mm 10 mm
低功率模式 YES YES
湿度敏感等级 3 3
DMA 通道数量 32 32
I/O 线路数量 140 140
串行 I/O 数 7 7
端子数量 212 212
计时器数量 8 8
片上数据RAM宽度 8 8
片上程序ROM宽度 8 8
最高工作温度 105 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
PWM 通道 YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
RAM(字节) 262144 262144
RAM(字数) 256 256
ROM(单词) 1048576 1048576
ROM可编程性 FLASH FLASH
座面最大高度 1 mm 1 mm
速度 120 MHz 120 MHz
最大压摆率 110.6 mA 100.1 mA
最大供电电压 1.32 V 1.32 V
最小供电电压 1.14 V 1.14 V
标称供电电压 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 10 mm 10 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消