型号
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| 型号 | TN2640N3-G | TN2640LG-G |
|---|---|---|
| 描述 | mosfet 400v 5ohm | mosfet 400v 5ohm |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-92 | SOIC |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数 | 3 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.22 A | 0.26 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5 Ω | 5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 15 pF | 15 pF |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.74 W | 1.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.74 W | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
