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TN5335K1-G

MOSFET 350V 15Ohm

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

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器件:TN5335K1-G

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microchip(微芯科技)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
350 V
最大漏极电流 (ID)
0.11 A
最大漏源导通电阻
15 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
22 pF
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.36 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与TN5335K1-G相近的元器件有:TN5335N8-G、TN5335K1、TN5335N8。描述及对比如下:
型号 TN5335K1-G TN5335N8-G TN5335K1 TN5335N8
描述 MOSFET 350V 15Ohm Thick Film Resistors - SMD 100M OHM 5% MOSFET 350V 15Ohm MOSFET 350V 15Ohm
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