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漏源电压（Vdss）：15V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.17A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：840mW 类型：双P沟道 P沟道,-15V,-1.17A,180mΩ@-10V
器件标准：
| 型号 | TPS1120DR | TPS1120DRG4 | TPS1120 |
|---|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：15V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.17A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：840mW 类型：双P沟道 P沟道,-15V,-1.17A,180mΩ@-10V | MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET | TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | GREEN, SOIC-8 | - |
| 针数 | 8 | 8 | - |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | - |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 15 V | 15 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.17 A | 1.17 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.17 A | 1.17 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω | 0.4 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA | MS-012AA | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 元件数量 | 2 | 2 | - |
| 端子数量 | 8 | 8 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.84 W | 0.84 W | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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