TPW1R005PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

器件标准： Rohs认证

参数

器件参数

参数名称

属性值

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

45V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

300A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

2.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

122nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

9600pF @ 22.5V

功率耗散（最大值）

960mW（Ta）, 170W（Tc）

工作温度

175°C

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

8-DSOP Advance

封装/外壳

8-PowerVDFN

热门器件

器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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