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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
厂商名称：Diodes Incorporated
下载文档| 型号 | UFZT958TA |
|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 85 MHz |
