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ULBM25

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-6

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Advanced Semiconductor, Inc.

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明
FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数
6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)
4.8 A
基于收集器的最大容量
80 pF
集电极-发射极最大电压
16 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
O-CXFM-F6
元件数量
1
端子数量
6
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
70 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
UNSPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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