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UPA814TC-KB

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NEC(日电)
包装说明
ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
基于收集器的最大容量
0.85 pF
集电极-发射极最大电压
6 V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带
L BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-F6
JESD-609代码
e0
元件数量
2
端子数量
6
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
9000 MHz
参数对比
与UPA814TC-KB相近的元器件有:UPA814TC-A、UPA814TC-T1-A、UPA814TC-KB-A、UPA814TC-T1KB-A、UPA814TC-T1KB。描述及对比如下:
型号 UPA814TC-KB UPA814TC-A UPA814TC-T1-A UPA814TC-KB-A UPA814TC-T1KB-A UPA814TC-T1KB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合
包装说明 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.85 pF 0.75 pF 0.75 pF 0.85 pF 0.85 pF 0.85 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 e6 e6 e6 e6 e0
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz
厂商名称 NEC(日电) - - NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
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