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UZTX755

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Zetex Semiconductors

厂商官网:http://www.zetex.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Zetex Semiconductors
包装说明
TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
基于收集器的最大容量
20 pF
集电极-发射极最大电压
150 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
50
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-W3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
30 MHz
VCEsat-Max
0.5 V
文档预览
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 2 – JULY 94
FEATURES
* 150 Volt V
CEO
* 1 Amp continuous current
* Low saturation voltage
* P
tot
= 1 Watt
ZTX754
ZTX755
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
ZTX754
-125
-125
-5
-2
-1
1
E-Line
TO92 Compatible
ZTX755
-150
-150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
-55 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On
Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
50
50
20
30
20
3-263
ZTX754
MIN.
-125
-125
-5
-100
-100
-0.5
-0.5
-1.1
-1.0
50
50
20
30
20
MHz
pF
MAX.
ZTX755
MIN.
-150
-150
-5
-100
-100
-0.5
-0.5
-1.1
-1.0
MAX.
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-10mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-100V, I
E
=0
V
CB
=-125V, I
E
=0
V
EB
=-3V, I
C
=0
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-200mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
IC=-500mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
=-20V, f=1MHz
UNIT
CONDITIONS.
Static Forward
h
FE
Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo
ZTX754
ZTX755
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.8
ts
µs
td
tr
tf
µs
ts
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
2.0 0.5
V
CE(sat)
- (Volts)
0.6
I
C
/I
B
=10
0.4
0.4
td
Switching time
0.3
1.0
0.2
tr
0.1
tf
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
0
0.01
0.1
1
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
CE(sat)
v I
C
Switching Speeds
100
h
FE
- Normalised Gain (%)
1.0
80
60
40
I
C
/I
B
=10
V
BE(sat)
- (Volts)
V
CE
=5V
0.8
0.6
20
0.4
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.001
0.01
0.1
1
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
10
1.2
V
CE
=5V
V
BE(sat)
v I
C
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
I
C
- Collector Current (Amps)
V
BE
- (Volts)
1.0
1
D.C.
1s
100ms
10ms
1.0ms
300µs
0.8
0.6
0.1
0.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
1
10
ZTX754
ZTX755
100
1000
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
CE
-
Collector Voltage (Volts)
V
BE(on)
v I
C
Safe Operating Area
3-264
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参数对比
与UZTX755相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 UZTX755
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors
包装说明 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code _compli
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
基于收集器的最大容量 20 pF
集电极-发射极最大电压 150 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
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