型号

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关键词

VN0610LTR1

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Vishay(威世)

厂商官网：http://www.vishay.com

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

60 V

最大漏极电流 (ID)

0.27 A

最大漏源导通电阻

5 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大反馈电容 (Crss)

5 pF

JEDEC-95代码

TO-226AA

JESD-30 代码

O-PBCY-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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