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XP151A13A0MR-G

MOSFET

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:TOREX(特瑞仕)

厂商官网:http://www.torex.co.jp/chinese/

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XP151A13A0MR-G 在线购买

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器件:XP151A13A0MR-G

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
TOREX(特瑞仕)
RoHS
Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
1 A
Rds On - Drain-Source Resistance
250 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
500 mV
Vgs - Gate-Source Voltage
8 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Fall Time
65 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Rise Time
15 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
75 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz
参数对比
与XP151A13A0MR-G相近的元器件有:XP151A13A0MR。描述及对比如下:
型号 XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR
描述 MOSFET 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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