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ZTX603DWP

Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.041 X 0.041 INCH, G15, DIE-2

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Diodes Incorporated

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Diodes Incorporated

零件包装代码

DIE

包装说明

UNCASED CHIP, S-XUUC-N2

针数

Reach Compliance Code

unknown

集电极-发射极最大电压

80 V

配置

DARLINGTON

最小直流电流增益 (hFE)

2000

JESD-30 代码

S-XUUC-N2

JESD-609代码

元件数量

端子数量

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装形状

SQUARE

封装形式

UNCASED CHIP

峰值回流温度（摄氏度）

235

极性/信道类型

NPN

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子面层

TIN LEAD

端子形式

NO LEAD

端子位置

UPPER

处于峰值回流温度下的最长时间

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

150 MHz

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器件捷径:

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