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ZXMD63P02X

1200mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MSOP-8

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Diodes Incorporated

器件标准：

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Diodes Incorporated
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (ID)
1.2 A
最大漏源导通电阻
0.27 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
P-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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