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ZXTP2012Z-13R

Power Bipolar Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Diodes Incorporated

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Diodes Incorporated
Reach Compliance Code
_compli
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
4.3 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JESD-30 代码
R-PSSO-F3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
FLAT
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
120 MHz
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