Wolfspeed (Cree)

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Wolfspeed (Cree)

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PulseLarsen Antennas

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

Cree(科瑞)

漏源电压（Vdss）：900V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 栅源极阈值电压：3.5V @ 5mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 SiCMOS管,N沟道,900V,36A,78mΩ@20A,15V

Wolfspeed (Cree)

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247

PulseLarsen Antennas

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Cree(科瑞)

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm

Cree(科瑞)

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm

PulseLarsen Antennas

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

PulseLarsen Antennas

MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Cree(科瑞)

Silicon Carbide Power MOSFET C3M MOSFET Technology

PulseLarsen Antennas

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

PulseLarsen Antennas

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Cree(科瑞)

漏源电压（Vdss）：1000V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 栅源极阈值电压：3.5V @ 5mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113.5W(Tc) 类型：N沟道 碳化硅MOS，高频大功率应用，低损耗