Diodes Incorporated

MOSFET N-Channel

Diodes

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.1A 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：240mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,30V,1.1A,150mΩ@10V