Fairchild
10.8 A, 600 V, 0.299 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
ON Semiconductor(安森美)
漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.8A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：N沟道 N沟道,600V,10.8A,299mΩ@10V
ISC
isc N-Channel MOSFET Transistor
Fairchild
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
