International Rectifier （ Infineon ）
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
ISC
N-Channel MOSFET Transistor
Infineon(英飞凌)
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
International Rectifier （ Infineon ）
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, Id = 100A)
ISC
isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier （ Infineon ）
75 A, 75 V, 0.0078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Infineon(英飞凌)
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
International Rectifier （ Infineon ）
130 A, 75 V, 0.0078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IR
漏源电压（Vdss）：75V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 78A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：330W 类型：N沟道 N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
Bipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W PNP
International Rectifier （ Infineon ）
Advanced Process Technology
Infineon(英飞凌)
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
International Rectifier （ Infineon ）
75 A, 75 V, 0.0078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ISC
Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier （ Infineon ）
75 A, 75 V, 0.0078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier （ Infineon ）
Advanced Process Technology
International Rectifier （ Infineon ）
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3
International Rectifier （ Infineon ）
mosfet mosft 75v 100a 7.8mohm 160nc
Infineon(英飞凌)
MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
Infineon(英飞凌)
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
International Rectifier （ Infineon ）
mosfet N-CH 75v 100a d2pak
Infineon(英飞凌)
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
International Rectifier （ Infineon ）
mosfet 75v 1 N-CH hexfet 7.8mohms 160nc
