Vishay(威世)
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
台湾微碧(VBsemi)
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：P沟道
