友顺(UTC)

漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,18A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

N-CHANNEL POWER MOSFET

深圳杜因特(DOINGTER)

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology