本文针对LDMOS 器件在ESD 保护应用中的原理进行了分析，重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流，结合实际工艺对器件进行参数优化，得到了承受4KV ESD 电压的LDMOS器件。

ESD（Electrostatic Discharge）现象对集成电路的可靠性造成了巨大威胁，利用片内半导体器件形成保护电路是提高ESD 保护的重要手段[1]。一般的消费电子产品要求在人体放电模式（ HBM ，Human-Body Mode）模式下承受的ESD 电压大于2KV。智能功率集成电路通常需要高低压器件兼容集成来实现，横向双扩散绝缘栅场效应晶体管（LDMOS，Lateral Double Diffused MOS Transistor）具有较高耐压，且与双极、CMOS 低压工艺兼容，易于集成而被广泛应用于智能功率IC 中。同时，LDMOS 被广泛选用对高压通道进行ESD 保护。本文利用双金属层、0.6μm 双极-互补MOS-双扩散MOS（BCD）工艺下的LDMOS 来实现一块智能功率IC 输出端口的静电保护，并成功通过测试，有效提高了芯片的可靠性。

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LDMOS 器件在 ESD 保护中的应用 电子科技大学功率集成技术研究室 肖艳 贺江平 张波 摘要： 本文针对 LDMOS 器件在 ESD 保护应用中的原理进行了分析，重点讨论了设计以及应用过程中如何降低 高触发电压和有效提高二次击穿电流，结合实际工艺对器件进行参数优化，得到了承受 4KV ESD 电压的 LDMOS 器件 1 引言 ESDElectrostatic Discharge现象对集成电路 的可靠性造成了巨大威胁，利用片内半导体器件形 成保护电路是提高 ESD 保护的重要手段1一般的 消 费 电 子 产 品 要 求 在 人 体 放 电 模 式 HBM ， HumanBody Mode模式下承受的 ESD 电压大于 2KV智能功率集成电路通常需要高低压器件兼容 集 成 来 实 现， 横 向 双 扩散 绝 缘 栅 场效 应 晶 体 管 LDMOS，Lateral Double Diffused MOS Transistor 具有较高耐压，且与双极CMOS 低压工艺兼容， 易于集成而被广泛应用于智能功率 IC 中同时， LDMOS 被广泛选用对高压通道进行 ES......