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超高速精确度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术pdf
1星 发布者: solarelec

2013-09-22 | 1积分 | 384.51KB |  0 次下载

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高速

精确度

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模拟

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模拟电路

模拟电路

电路

电路

超高速精确度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术:本文介绍了一种新型的互补SiGe BiCMOS 技术。该技术带有完全电介质绝缘的 5V 多发射极 NPN和PNP 晶体管、5V CMOS、高精度 MIM 电容器、高精度薄膜电阻及多晶硅 (poly) 电阻、多状态金属保险丝以及三级冶金 (metallurgy)。在这种独特的技术基础之上,我们实现了增益为 5 而 IMD3 在100MHz 下仅为 -90dBc 的 2.3GHz 电压反馈放大器。

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