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2018年03月05日 | 氮化镓推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对

2018-03-05

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。


数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。


大规模MIMO 5G天线领域,其中天线配置的绝对密度对功率和热性能具有极高的价值,特别是在较高频率下。经过适当开发,硅基氮化镓的功率效率优势将对无线网络运营商的基站运营费用产生深远影响。MACOM估计,采用0.1美元/千瓦时的平均能量率模型时,仅将一年内部署的新大型基站转换为MACOM硅基氮化镓技术一项便可节省超过1亿美元的费用。


新时代


硅基氮化镓从早期研发到商业规模应用的发展历程无疑是一次最具颠覆性的技术革新过程,为射频半导体行业开创了一个新时代。通过与ST达成的协议,MACOM硅基氮化镓技术将获得独特优势,能够满足未来4G LTE和5G无线基站基础设施对于性能、成本结构、制造能力和供应链灵活性的要求,在固态射频能量应用领域拥有无限潜力。硅基氮化镓提供的射频解决方案具有LDMOS和碳化硅基氮化镓竞争技术无法匹敌的价格/性能指标,而这仅仅是冰山一角。


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