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2018年07月31日 | 东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET
2018-07-31 来源：EEWORLD
- 新封装提供双面散热，有效改善散热。
东京--八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance（WF）封装。
这些新产品在“DSOP Advance”（WF）封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟道结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。
与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰（EMI）[1]。“DSOP Advance（WF）”封装采用可焊锡侧翼端子结构[2]。
应用场合
电动助力转向系统
负载开关
电子泵
特点
符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
采用顶板（top plate）[3]和漏极的双面散热封装
可焊锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性
注：
[1] EMI（电磁干扰）
[2] 可焊锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测（AOI）。
[3] 请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。
史海拾趣
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