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2018年09月05日 | 三星：明年推5/4nm EUV工艺，2020年上马3nm GAA工艺
2018-09-05 来源：cnbeta
随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资，全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了，不过英特尔可以排除在代工厂之外，其他无晶圆公司可选的只有三星以及台积电了，其中台积电在7nm节点可以说大获全胜，流片的7nm芯片有50+多款。三星近年来也把代工业务当作重点，此前豪言要争取25%的代工市场，今年三星公布了未来的制程工艺路线图，现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图，今年会推出7nm EUV工艺，明年有5/4nm EUV工艺，2020年则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。
三星电子4日在日本举行“三星晶圆代工论坛2018日本会议”，简称SFF Japan 2018，这是三星第二次在日本举行代工会议，日本PCwatch网站介绍了三星这次会议的主要内容，三星的口号是“最受信任的代工厂”，并公布了三星在晶圆代工上的最新路线图。
三星高管表示2018年晚些时候会推出7nm FinFET EUV工艺，而8nm LPU工艺也会开始风险试产，2019年则会推出5/4nm FinFET EUV工艺，同时开始18nm FD-SOI工艺的风险试产，后者主要面向RF射频、eMRAM等芯片产品。
2020年三星则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管结构也会大改，从目前的FinFET变成GAA（ Gate-All-Around）结构，GAA公认为7nm节点之后取代FinFET晶体管的新一代技术候选。
三星在这次的论坛会议上表示他们是第一家大规模量产EUV工艺的，这点上倒是没错，台积电要到第二代7nm工艺N7+上才会使用EUV工艺，但是三星比较激进，7nm节点上会直接上7nm工艺，未来的5/4/3nm节点也会全面使用EUV工艺。
根据三星的说法，他们在韩国华城的S3 Line生产线上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻机，这条生产线原本是用于10nm工艺的，现在已经被改造，据说现在的EUV产能已经达到了大规模生产的标准。
此外，三星还在S3生产线之外建设全新的生产线，这是EUV工艺专用的，计划在2019年底全面完成，EUV的全面量产计划在2020年完成。
对三星来说，他们的7nm客户都有谁至关重要，特别是在台积电抢下绝大多数7nm订单的情况下，原文作者认为台积电的7nm产能不可能包揽所有7nm订单，三星依然有机会抢得客户，因此他猜测某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不过他强调这是自己的推测。
在GPU代工上，三星使用14nm工艺给NVIDA的GTX 1050 Ti/1050显卡的GP107核心代工过。
下面是三星在封装测试方面的路线图了，目前三星已经可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封装，明年则会推出3D SiP系统级封装，其中I-Cube封装已经可以实现4路HBM 2显存堆栈了。
史海拾趣
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