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2018年12月07日 | EUVL技术是英特尔突破7nm技术的关键所在
2018-12-07 来源：半导体行业观察
按照英特尔最的初计划，他们的10nm工艺应该在2016年下半年进入量产阶段。但迄今为止，我们尚没看到英特尔兑换诺言。目前，在现在的市场上，我们仅看到少量用英特尔10nm工艺制造的CPU。按照他们的说法，大规模量产（HVM）将会在2019年晚些时候到来，该公司的临时CEO Robert Swan日前在瑞信的TMT大会上也表示，公司在19年底会带来消费级产品，10nm的FPGA也将会在2019年到来，至于10nm的服务器的进度，则提前到2020年初到来。从多方的反馈来函，英特尔在其10纳米工艺上遭遇了数年的延迟，这毫无疑问严重影响了公司的产品阵容及其业务。
现在，事实证明，英特尔的10纳米可能是一个短生命节点，因为该公司的7纳米技术正按照其原始计划进行引入。
英特尔在过去曾多次表示，他们为10纳米制造工艺设定了过于激进的缩放/晶体管密度目标，这也是他们在过去多年在开发过程中遇到问题的原因。根据英特尔的计划，他们的10制造技术完全依赖于工作在193纳米波长的深紫外光光刻机（DUVL）。为了实现英特尔在10纳米上实现的精细特征尺寸，该过程必须大量使用多重图案。根据英特尔的说法，在这个过程中碰到的一个主要问题恰恰就是他们对多重图形的大量使用（SAQP曝光技术，即自对准四重曝光）。
日前，英特尔首席工程官兼技术，系统架构和客户群总裁Murthy Renduchintala在纳斯达克第39届投资者大会上透露了公司的7nm计划，他表示：
“我们有一个相对独立的团队在进行7纳米产品的研发。我们对7 nm的进展也感到非常满意。我认为我们已经从10 nm的推进中吸取了大量的经验，因为我们对此进行了定义，并在晶体管密度，功率和性能以及进度可预测性之间定义了不同的优化点。根据我们最初的内部计划，我们非常非常专注于7纳米，并寄望尽快获得成功。”
“我要说的一点是，当你看到7纳米时，对于我们来说，这就是我们将EUV投入制造矩阵的时间点，因此我认为，这将给从一定程度上支持我们重新回到传统摩尔定律的节奏。”
“到了[7纳米]，我们将回到更像是一个2倍的缩放目标，然后真正向前推进这个目标。”，Murthy说。
英特尔从未公开其7纳米制造技术的细节，但多图案使用的大幅减少以及更传统的2倍缩放目标与10纳米相比表明，EUVL的使用将更为广泛。
根据ASML，一个EUV层需要一个EUV步进扫描系统，每月约45,000个晶圆启动。因此，如果英特尔计划将EUVL广泛用于10到20层，那么对于每个月需要启动100,000个晶圆的工厂来说，那就需要大约20到40个EUV光刻机。考虑到英特尔不是唯一计划在2020年使用EUV光刻机的公司。因此，在多个晶圆厂获得HVM需要的EUV光刻机数量，对英特尔来说可能是一个挑战。
与此同时，到目前为止，英特尔已宣布计划只有一个7纳米晶圆厂：亚利桑那州的Fab 42。此外，该公司将在D1工厂拥有7纳米的容量，用于开发和试验（以及其他方面）。
史海拾趣
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