2018年12月17日 | 利用STM32的FLASH模拟 EEPROM（F103）系列

       STM32的FLASH是用来存储主程序的，ST公司为了节约成本，没有加入 EEPROM，但是许多场合下我们需要用EEPROM；不过FLASH的容量还是可观的，我们可以利用FLASH模拟EEPROM。

       根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，FLASH除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序（Bootloader）并锁死，用户无法更改。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。

      通常情况下程序也不会把FLASH写满；在没满的时候我们可以把最后一或两页用来模拟EEPROM；这样我们就可以不用在外部另外来加EEPROM了。下面是STM32F103中文手册关于FLASH的截图；由于我用的是STM32C8T6做的实验；手册中没有给STM32C8T6的FLASH的地址信息，容量是64K，可以算出第63页地址是0X800FC00-0X800FFFF。

由于太晚了直接上代码：

头文件：

#ifndef  __ST_FLASH_H

#define  __ST_FLASH_H

/**@file StFlash.h

  *@brief stm32 flash的读写操作

  *    使用：

  *        * 此文件主要是针对STM32F103系列的芯片，注意不同容量大小的芯片的地址范围不一样

  *        * 使用Read和Write函数进行读写，具体参数和返回值见函数说明  

  *        * 可以利用flash模拟EEPROM使用

  * 

  *@author  DHS（746769845@qq.com）

  *

  */

#include "stm32f10x.h"

#include "stm32f10x_flash.h"

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

//用户根据自己的需要设置

#define STM32_FLASH_SIZE  64 //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)

#define STM32_FLASH_WREN 1              //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

#if STM32_FLASH_SIZE<256

#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节

#else 

#define STM_SECTOR_SIZE 2048

#endif  

//FLASH起始地址

#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址

//FLASH解锁键值

class STFLASH

{

private:

bool mUseHalfWord;//

uint32_t mStartAddress;//

public:

STFLASH(uint32_t startAddress=(0x08000000+1000),bool useHalfWord=true);

//读取指定地址的半字(16位数据)

//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)

//返回值:对应数据.

u16 ReadHalfWord(u32 faddr);

//WriteAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数   

void Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) ;

//从指定地址开始写入指定长度的数据

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)

void Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数

void Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) ;

};

#endif

程序文件：

#include "StFlash.h"

/**@file StFlash.h

  *@brief stm32 flash的读写操作

  *    使用：

  *        * 此文件主要是针对STM32F103系列的芯片，注意不同容量大小的芯片的地址范围不一样

  *        * 使用Read和Write函数进行读写，具体参数和返回值见函数说明  

  *        * 可以利用flash模拟EEPROM使用

  * 

  *@author  DHS（746769845@qq.com）

  *

  */

u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节

STFLASH::STFLASH(uint32_t startAddress,bool useHalfWord)

{

if(startAddress%STM_SECTOR_SIZE!=0)//不是页的开始,将开始处设置为下一个页开始的地方

startAddress+=(STM_SECTOR_SIZE-(startAddress%STM_SECTOR_SIZE));

mStartAddress=startAddress;

mUseHalfWord=useHalfWord;

}

//读取指定地址的半字(16位数据)

//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)

//返回值:对应数据.

u16  STFLASH:: ReadHalfWord(u32 faddr)

{

return *(vu16*)faddr; 

}

//WriteAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数   

void STFLASH::Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u16 i;

for(i=0;i

{

FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);

    WriteAddr+=2;//地址增加2.

}  

}

//从指定地址开始写入指定长度的数据

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)

void STFLASH::Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u32 secpos;    //扇区地址

u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)

u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)    

  u16 i;    

u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址

if(WriteAddr

FLASH_Unlock(); //解锁

offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.

secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6

secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)

secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小   

if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围

while(1) 

{

Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容

for(i=0;i

{

if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除    

}

if(i

{

FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区

for(i=0;i

{

STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];   

}

Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  

}else Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.    

if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了

else//写入未结束

{

secpos++; //扇区地址增1

secoff=0; //偏移位置为0  

    pBuffer+=secremain;  //指针偏移

WriteAddr+=secremain; //写地址偏移    

    NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减

if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完

else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了

}  

};

FLASH_Lock();//上锁

}

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数

void STFLASH::Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) 

{

u16 i;

for(i=0;i

{

pBuffer[i]=ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.

ReadAddr+=2;//偏移2个字节.

}

}

main文件：

#include "stm32f10x.h"

#include "StFlash.h"/要写入到STM32 FLASH的字符串数组

const u8 TEXT_Buffer[]={"Flash_test"};

#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度

#define FLASH_SAVE_ADDR  0X0800FC00 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

u8 datatemp[SIZE];

STFLASH flash1;//

int main()

{

SysTick_Config(72000);                                                    

flash1.Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);//写数据，第一次下载程序到32，第二次注释掉此行，断电重新编译下载 //keil watch查看datatemp数组的数据正是之前写进去的数据

flash1.Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);//读数据

 while(1) {  

      }

}