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2019年01月15日 | 第三代半导体产业正向阳而生获国奖
2019-01-15 来源：爱集微
集微网消息（文/春夏）近些年，第三代半导体成为产业研究的重点。工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》中将“第三代化合物半导体”列为集成电路产业的发展重点。同样，我们也看到学术界与产业界在该领域不断探索并取得佳绩。
1月8日，2018年度国家科学技术奖名单正式出炉，在评选出的278个项目中，就有多个项目涉及第三代半导体领域。
由北京大学联合东莞市中图半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司共同完成的“氮化物半导体大失配异质外延技术”项目获得2018年度国家技术发明二等奖。
据悉，该项目研究围绕氮化物半导体大失配异质外延的缺陷和应力控制这一重大问题开展了系统研究，发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料，建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系，并实现了产业化应用。
此外，据西安电子科技大学官网介绍，2018年度国家科学技术奖评选中，张进成教授所率领的研究团队获得了国家技术发明二等奖。张进成教授牵头完成的“微波功率器件及关键技术”，提出了低缺陷材料生长方法、耐高温材料结构、高效器件结构和高可靠器件工艺，解决了材料生长、器件结构和制造工艺等制约器件性能提升的难题，突破了第三代宽禁带半导体电子器件的工程化应用，在下一代5G通讯、新能源汽车、物联网等国民经济和信息感知等国家安全领域具有广泛应用前景。
第三代半导体产业联盟也曾发文“祝贺第三代半导体两项技术获得国家科学技术奖”，对以上两技术成果拿下佳绩表示祝贺。
史海拾趣
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