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2019年03月14日 | 西部数据开发LLF低延迟闪存
2019-03-14 来源：爱集微
集微网消息，据AnandTech报道，西部数据正在开发自己的低延迟闪存，与传统的3D NAND相比，它将提供更高的性能和耐用性，最终设计用于与英特尔的Optane存储竞争。
在本周的Storage Field Day，西部数据谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术适用于3D NAND和DRAM之间，类似于英特尔的Optane存储和三星的Z-NAND。与西部数据类似，LLF内存将具有“微秒范围内”的访问时间，使用每单元1bit和每单元2bit的体系结构。
西部数据承认其LLF是一种非常快速的定制设备，因为它是为性能量身定制的。这种内存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB价格计算，其成本是3D NAND的20倍（至少基于今天的估计），因此它只能用于针对数据中心或高端的精选应用程序工作站，类似于今天的Optane和Z-NAND。
西部数据没有透露有关其LLF的所有细节，也无法说明它是否与去年推出的东芝XL-Flash低延迟3D NAND以及其他特殊类型的闪存有关。很自然，该公司也不愿谈论基于其LLF内存的实际产品，或者什么时候它们可用。同时，西部数据的LLF属于BICS4系列3D NAND存储器，因此即使在今天也可以生产。
虽然西部数据的低延迟闪存将与英特尔的Optane和三星的Z-NAND SSD竞争，但该公司并未将LLF称为存储级内存（SCM）。
从长远来看，西部数据正在内部开发基于ReRAM的SCM，并在HP 上开发基于忆阻器的SCM。不过，研发周期需要很多年，看起来西部数据在采用下一代技术之前，将采用更熟悉的NAND闪存来满足需要容量和性能的应用。
史海拾趣
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