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2019年03月27日 | 具有杂散磁场补偿的真3D霍尔效应位置传感器
2019-03-27 来源：EEWORLD
TDK-Micronas 应用部经理陈兴鹏表示，时下，市场对磁场传感器的要求日益攀高，特别是对杂散磁场补偿的要求，这给磁传感器的设计带来了新的挑战。同时，人们对自动驾驶功能、更高的功能安全要求以及对数字接口日益增长的需求呼唤一种具有更多功能和更高灵活性的新型传感器问世。鉴于此，TDK 推出一种具有杂散磁场补偿功能且采用灵活结构设计的独特 3D 霍尔效应位置传感器。
磁场传感器，尤其是霍尔效应传感器，被广泛应用于工业和汽车电子领域。其主要原因是，它们经济有效地集成了许多附加功能。近年来，除了霍尔效应开关和一维传感器外，越来越多的二维/三维传感器被设计应用到先进的汽车电子领域。这些传感器必须满足日益增长的需求， 例如，ISO 26262 中关于自动驾驶应用的更高安全要求。除此之外，现代汽车具有越来越多的高精度控制的执行器，它们必须提供数字接口（如 SENT、SPI 和 PSI5）、低功率模式和 3D测量能力。
TDK-Micronas 应用部经理陈兴鹏
陈兴鹏表示，TDK-Micronas最新推出的HAL 39xy系列霍尔传感器支持多种数字接口、并具有真3D测量模式以及杂散磁场补偿等特性。
图 1：新型 Micronas HAL® 39xy 霍尔效应位置传感器系列，具有多种带主动杂散磁场补偿的测量模式
杂散磁场日益增长的挑战
杂散磁场的要求是一项重大挑战，对于磁场传感器来说更是如此。混合动力车 (HEV) 和纯电动车 (BEV) 的电机和电力线带有高电流，并能产生可以干预磁场传感器的磁场。陈兴鹏具体表示，这种干扰甚至可以带来高达5度的测量误差。一个现代的霍尔效应传感器必须能根据最新的ISO 11452-8 标准和相关的OEM 要求提供稳健的杂散磁场抗扰性。在过去，人们利用改变应用中磁体的磁场强度来平衡外界的干扰场。但出于成本的考虑， 磁体结构设计越来越趋于小型化，这使得主动杂散磁场补偿对于磁场传感器成为必须。
HAL® 39xy 位置传感器系列，独特的杂散磁场概念
新型的 Micronas HAL® 39xy 位置传感器系列成功达成了所有这些有挑战性的目标。霍尔传感器不仅能精确测量磁场，而且对干扰磁场敏感度低，小于0.1°。它们独特的杂散磁场概念基于垂直和水平霍尔板阵列。传感器的核心是获得专利的 3D 霍尔像素单元。高度灵活的传感器阵列使得设计工程师能针对不同测量任务选择最佳的杂散磁场补偿模式。
HAL 39xy 系列具有四种不同的测量模式：
具有杂散磁场补偿的线性位置检测
具有杂散磁场补偿的旋转 360°角度检测
具有杂散磁场补偿的旋转 180°角度检测
真 3D 磁场检测（Bx、By 和 Bz）
每种模式均采用不同霍尔板组合，以确保每种模式都能发挥最佳性能。HAL39xy 是市场上集成四种模式于单一设备的唯一解决方案，能为客户带来了明显优势：他们无需旁骛，只需一种设备就能满足不同应用，而无需采用多种不同的硬件版本。
该产品的灵敏度极高，线形模式的测量范围可达30mm，因此非常适合刹车等踏板应用。
陈兴鹏特别强调了真3D磁场检测，该产品通过测量Bx，By和Bz3个值进行计算，得出两个角度，精确测量出磁体位置。
真3D磁场检测，实现更精确的测量
可定制且快速成形的灵活架构
HAL 39xy 系列采用灵活架构，可支持不同配置方法。它具有功能强大的 DSP 和嵌入式微控制器，其中 DSP 主要负责快速信号处理（角度计算，补偿等），微控制器则负责功能安全相关任务的整体调度，接口配置和监控。客制化固件可供两个模块使用。配合灵活的霍尔前端， 这使得客户能实现多种新的应用，例如定制信号处理过程或支持新接口标准等。HAL 39xy 的创新架构使客户能更加轻松地应用快速成形技术开发新方案，同时能快捷适应新接口的变化，如SENT 和 PSI5。
广泛适用于各种汽车和工业应用的独特方案
凭借新型 Micronas HAL 39x 系列，TDK 现能提供一款可满足磁场位置传感器的最新要求的独特解决方案。这些传感器广泛适用于各种汽车和工业应用，包括：
所有种类的阀门和执行器（如冷却阀门、EGR、涡轮增压）
选择器和变速器
踏板位置检测
变速箱的位置检测
转向角检测
底盘位置检测
TDK 将率先发布采用 SOCI8 封装的 HAL3900(SPI)、HAL3930(SENT/PWM)和 HAL3980(PSI5) 传感器。工程设计样品现在已经可以开始预定。未来还将提供更多封装类型和其它接口类型。
史海拾趣
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