2019年04月17日 | TDK推出新品CeraLink FA电容

2019-04-17 来源：EEWORLD

TDK株式会社(东京证券交易所代码：6762) 推出采用模块化柔性装配技术的CeraLink FA类型电容器，进一步拓展了成熟的CeraLink™电容器的产品阵容。新类型电容器采用节省空间的设计，在相同的端子上并联了两个、三个甚至十个完全相同的电容器来增加容值。CeraLink FA类型电容器可提供500V DC、700V DC和900V DC的额定电压，电容值介于0.5μF和10μF之间，具体视额定电压和电容器数量而定。这些基于PLZT（锆钛酸镧铅）陶瓷电容器具有一个独特亮点，即实现了高达150 °C的容许工作温度。FA类型电容器宽7.4 mm，高9.1mm，长度具有6.3mm、9.3mm或30.3mm三种尺寸。尽管体积小，但它们的吸收纹波电流能力高达47 ARMS。

并联开关的一个主要优势是具有超低ESR（等效串联电阻），在0.1至1MHz的大频率范围内，ESR明显低于10 mΩ。即使在最小值的3nH电感量条件下，ESL（等效串联电感）也极低。凭借弱寄生效应，CeraLink电容器非常适用基于快速切换半导体（如GaN或SiC）的转换器拓扑结构，转换时的过充电压明显低于常规电容器技术。此外，CeraLink电容器还能轻松满足尺寸、电流容量，以及温度等方面的特殊要求。

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CeraLink面向的目标应用

关于CeraLink技术

TDK CeraLink电容器采用了新型专利反铁电电容器技术，随着电压的增加该材料的电容值随之增大。

凭借基于该反铁电电容器新型专利技术，TDK CeraLink电容器的电容值随着电压增大而增大。

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电容值相对于电压

借助ESL和ESR极低的属性，CeraLink电容器可支持更高的切换频率以及成本更低且更稳定的半导体器件（如高速IGBT相对于MOSFET）。此外，由于需要显著降低制造的复杂性、芯片面积通常小于超接面MOSFET和其高切换频率，最新的IGBT具有卓越的性价比。该类型解决方案的成本通常比MOSFET解决方案低三分之一，此外，电容值、电路板空间、磁性元件和散热器等尺寸也可显著降低，因此，总方案成本 (TCS) 可降低40%多。

在用于系统集成时，CeraLink可降低由过压（由系统方法引起）造成半导体器件损坏的风险。

新型专利系统解决方案

CeraLink的多层设计采用了一种带铜内电极的新型设计陶瓷材料，在性价比方面具有明显的优势。

优势

ESR随着温度大幅降低
ESL极低
铜内电极材料的属性很有利于高频切换，损耗低，且支持高Imax的快速转换率。
适用于切换频率高达1 MHz及以上的应用
宽工作温度范围，温度可高达 +150 °C（还适用于SiC/ GaN）
高频时损耗低
支持快速切换半导体
可进一步减小系统级电力电子设备尺寸
由于材料选择恰当，漏电流超低
随着频率增加，介质损耗降低
接线端子，用于焊接和现代快压合技术
随着DC电压向上偏移至工作电压，电容值随之增大
外壳紧凑，具有多个选项，可用于工业和汽车行业的典型电力模块
提供用于集成至电力模块 (IGBT/ MOSFET/ SiC) 的特殊型号

特性

电容密度高
ESR和ESL值极低
高电流密度，可-有效降低纹波电压
随着电压增大有效电容值增大
可用于高温波动的应用
高频时损耗低
支持快速切换半导体
可减小系统级电力电子设备尺寸

规格

绝缘电阻很高，大于1 GΩ，特别是高温下，漏电流很低。
ESL极低，小于3.5 nH
工作温度介于 -40 °C至+125 °C（短期可高达 +150 °C），还适用于SiC和 GaN

TDK CeraLink 电容

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