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2019年06月11日 | pSemi宣布推出UltraCMOS13工艺，实现更高射频性能
2019-06-11 来源：EEWORLD
在2019年国际微波研讨会期间，pSemi宣布推出UltraCMOS13，这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。 UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）性能而量身定制，可提高集成前端组件的性能。
三十多年前，pSemi开创了UltraCMOS技术，取代GaAs PHEMT成为手机开关的首选工艺。每一代UltraCMOS都改进了Ron*Coff品质因数，这是RF开关的关键性能指标。降低Ron可降低插入损耗，降低Coff可在开关关闭时改善开关隔离性能。2017年1月推出的UltraCMOS 12的RonCoff达到了80 fs。
UltraCMOS 13保持了上一代的RonCoff和Fmax性能，同时降低了LNA的NFmin，降低了PA的FET漏电流，增加了开关的功率处理能力，并优化了对片内1.2 V模拟和数字电路功能的支持。
pSemi首席执行官Jim Cable表示，UltraCMOS 13工艺将使pSemi设计人员能够提供高度集成和差异化的产品，最初的目标是低于6 GHz的5G NR LNA，PA，交换机和集成前端等。
pSemi（前身为Peregrine Semiconductor）是村田制作所的子公司，开发标准产品RFIC和定制设计。
史海拾趣
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