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2019年07月26日 | STM32 内部FLASH读写操作
2019-07-26 来源：eefocus
关于STM32内部FLASH读写操作
单片机程序flash对应的内部地址。 falsh内部128bytes为一页，32页一个扇区。为了不会破坏到程序一般我们把要存的数据放后面，或者放到最后一页，来读取保存。STM32程序起始地址一般为0x08000000。
2.读取数据
//faddr 要读取的地址
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord ( uint32_t faddr )
{
return *(__IO uint16_t*)faddr;
}
uint16_t STMFLASH_Read (uint32_t Addr )
{
uint16_t Date = 0;
Date = STMFLASH_ReadHalfWord(Addr);
return Date;
}
3.写入数据
内部FALSH每次使用的时候都要解锁，使用完之后在上锁。
写入数据之前要擦除以前的数据，不然只会覆盖上一次数据会出现数据错误，上一次存数据为0x22,下次直接存储数据0x01，如果不擦除存成功后读出来就是0x21,所以要清除当前位置的数据。
typedef struct
{
uint32_t TypeErase; //以页为单位擦除
uint32_t PageAddress; //擦除的地址
uint32_t NbPages; //擦除页数
} FLASH_EraseInitTypeDef;
void STMFLASH_Write ( uint8_t Buffer ,uint32_t Addr)
{
uint32_t SECTORError = 0;
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
HAL_FLASH_Unlock();
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = Addr;
EraseInitStruct.NbPages = 1;
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORError); //擦除函数，这里擦除一整页
SECTORError 擦除失败会返回失败地址
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,Addr,Buffer); //写数据
//FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 这里定义存储地址的方式 这里是32位的地址 地址为4的 倍数不然会报错（地址方式为0x0800FF80 0x0800FF84 0x0800FF88）选用时根据自己情况 选 择参数，有的是2的倍数
HAL_FLASH_Lock();
}
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史海拾趣
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