2019年07月26日 | 读写stm32的内置Flash(附代码)

最近尝试了一下对32的内置flash进行读写，众所周知，芯片的flash是用来存放代码指令和变量的，其中的数据即使掉电也不会丢失。而stm32的flash之大，对于初学者的小打小闹完全不用担心不够用的情况。

因此，在需要保存一些芯片掉电之后依旧需要保存的数据（数据量不是特别大）时，运用内置flash的空闲部分可以为我们省去一颗eeprom或外置flash的花销。

知识总结：

1.flash的写入之前需要先擦除，且擦除是直接擦除一页（2KBytes），整个流程为

（1）解锁flash（2）擦除一页或多页（3）写数据（4）锁定flash

2.flash正常写入一次是16bit

3.flash的地址从0x08000000开始，存储代码指令与变量。所以在用户自己写flash时，要注意不要把代码指令与变量给覆盖了。查看编译过的代码使用了多少内存，可在Keil中双击工程名查看*.map文件

基地址加上Size就是代码指令与变量占用的空间。在写入用户数据时，要避开这些地方。

以下是基于正点原子库函数的flash读写代码。在STM32F103RCT6测试通过。可以直接复制使用，好用请为博客点个赞！

flash.h:

#ifndef _FLASH_H

#define _FLASH_H

#include "stm32f10x.h"

extern uint32_t Flash_EraseWriteOnePage(uint32_t WRITE_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t *DataAddress);

extern void Flash_ReadOnePage(uint32_t READ_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t *DataAddress);

#endif

flash.c

/////////////////////////////////////////

//Author: Read Air

//Version: 1.0

//Date:2019/4/18

/////////////////////////////////////////

#include "flash.h"

#include "stm32f10x.h"

///////////////////////////////////////////////////////

//WRITE_START_ADDR -- 开始写的地址

//SizeOf_u32 -- 要写入的32位（双字）的数量

//DataAddress -- 等待被写入的数据数组（32位的）

//返回值 -- 出现擦除失败故障返回写入地址,正常返回0

///////////////////////////////////////////////////////

uint32_t Flash_EraseWriteOnePage(uint32_t WRITE_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t *DataAddress)

{

char EraseCounter = 0;

static FLASH_Status FLASHStatus;

uint32_t Address;

u16 Remain_u32 = SizeOf_u32;

u8 err_time=0;

/* 解锁 */

FLASH_Unlock();

/* 清空所有标志位 */

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

/* 擦除一页*/

FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR);

/* 尝试擦除*/

while((FLASHStatus != FLASH_COMPLETE)&&(err_time<5))

{

FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR);

err_time++;

}

/* 擦除失败*/

if (err_time >= 5) return WRITE_START_ADDR;

/* 向内部 FLASH 写入数据 */

Address = WRITE_START_ADDR;

while ((Remain_u32 > 0) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)) 

{

FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, DataAddress[SizeOf_u32-Remain_u32]);

Address = Address + 4;

Remain_u32--;

}

/* 锁定*/

FLASH_Lock();

return 0;

}

///////////////////////////////////////////////////////

//READ_START_ADDR -- 开始写的地址

//SizeOf_u32 -- 要读出的32位（双字）的数量

//DataAddress -- 等待被读出的数据数组（32位的）

///////////////////////////////////////////////////////

void Flash_ReadOnePage(uint32_t READ_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t *DataAddress)

{

uint32_t Address;

u16 Remain_u32 = SizeOf_u32;

/* 检查写入的数据是否正确 */

Address = READ_START_ADDR;

while ((Remain_u32 > 0)) 

{

DataAddress[SizeOf_u32-Remain_u32] = (*(__IO uint32_t*) Address);

Address += 4;

Remain_u32--;

}

}

//注意事项： 

//1、对flash进行写入操作，一定要遵循“先擦除，后写入”的原则 

//2、注意到stm32内置flash的擦除操作都是以页为单位进行，而写入操作则必须以16位半字宽度数据为单位，允许跨页写，尝试写入非16位半字数据将导致stm32内部总线错误。 

//3、进行stm32的内置flash编程操作时（写或擦除），必须打开内部的RC振荡器（HSI） 

//4、注意stm32的内置flash最多只有10万次重复擦写的生命周期，谨记切勿在程序中放任死循环对flash进行持续地重复擦写。