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2019年12月11日 | Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
2019-12-11 来源：EEWORLD
器件适用于24 V系统双向开关，最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW
单位面积RS-S(ON)达业内最低水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。
从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。
为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。
SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。
史海拾趣
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