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2020年01月03日 | [AVR]高压并行编程---基础知识
2020-01-03 来源：eefocus
一、接线方式及端口定义
RDY/BSY 判忙标志位。(0:设备正忙 1:等待新的命令)
OE 输出使能位 低电平有效
WR 写脉冲 低电平有效
BS[2:1] 字节选择1（0:选择低位字节 1:选择高位字节)
XA[1:0] XTAL动作位
00加载Flash或者EEPROM地址
01加载数据
10加载命令
11保留
PAGEL 加载程序存储器和EEPROM数据页
DATA 双向数据/命令口
0x80 芯片擦除
0x40 写熔丝位
0x20 写锁定位
0x10 写FLASH
0x11 写EEPROM
0x08 读标示字节和校准字节
0x04 读熔丝位及锁定位
0x02 读FLash
0x03 读EEPROM接线方式及端口定义
二、进入编程模式
方案一:
在 VCC 及GND 之间提供4.5 - 5.5V 的电压
将RESET 拉低，并至少改变XTAL1 电平6 次
将PAGEL，XA1，XA0，BS1全部置0
给RESET提供11.5-12.5V的电压
方案二:(使用外部晶体或RC振荡器)
将PAGEL，XA1，XA0，BS1全部置0
在VCC 与GND 间提供电压4.5 - 5.5V 同时在RESET 上提供11.5 - 12.5V 电压
等待100 ns。
对熔丝位重编程，保证外部时钟源作为系统时钟(CKSEL3:0 = 0b0000)。如果锁
定位已编程，在改变熔丝前必须执行芯片擦除指令。通过降低器件功率或置RESET 引脚为0b0 来退出编程模式。
然后使用方法一进入编程
史海拾趣
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