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2020年02月08日 | 如何调整STM32单片机中flash与时钟速率之间的关系
2020-02-08 来源：elecfans
void Flash_Init（void）
{
// 调整flash与时钟速率之间的关系
FLASH-》ACR |= FLASH_ACR_LATENCY;
}
void Flash_Unlock（void）
{
// FLASH-》CR 的第7位为解锁的标志位或者上锁的操作位
while（FLASH-》CR & FLASH_CR_LOCK）
{
FLASH-》KEYR = FLASH_FKEY1;
FLASH-》KEYR = FLASH_FKEY2;
}
}
void Flash_Lock（void）
{
FLASH-》CR |= FLASH_CR_LOCK;
}
void Flash_Clear_All_Flag（void）
{
unsigned long flag_temp;
flag_temp = FLASH-》SR;
FLASH-》SR = flag_temp & 0x34;
}
// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页
// which_page_temp -- 你所清空页包含的地址（该地址在哪一页的范围就清空哪一页）
void Flash_Earse_Page（unsigned long which_page_temp）
{
FLASH-》CR |= FLASH_CR_PER;
FLASH-》AR = which_page_temp;
FLASH-》CR |= FLASH_CR_STRT;
while（FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY）; // 等待BSY清零
FLASH-》CR &= ~FLASH_CR_PER;
}
// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页
// 我们直接将最后一页当做一个储存空间，即储存的首地址为 （0x08000000 + 1024 * 63）
// 所以 write_dat_temp 的范围 0 -- （1024 / 4 - 1）
// Flash数据长度必须是半字节，其它长度会引起中断
// 为了配合读取的时候是整个一个字，写入的时候也写入一个字
void Flash_Write_Dat（unsigned long write_num_temp，unsigned long write_dat_temp）
{
Flash_Clear_All_Flag（）;
Flash_Unlock（）;
Flash_Earse_Page（0x08000000 + 1024 * 63）;
FLASH-》CR |= FLASH_CR_PG;
*（__IO uint16_t*）（0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 0） = （write_dat_temp & 0xffff）;
*（__IO uint16_t*）（0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 2） = （（write_dat_temp & 0xffff0000） 》》 16）;
while（FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY）; // 等待BSY清零
FLASH-》CR &= ~FLASH_CR_PG;
Flash_Lock（）;
}
// 因为flash是从0x08000000开始的，总共64k，每1k就是1页
// 我们直接将最后一页当做一个储存空间，即储存的首地址为 （0x08000000 + 1024 * 63）
// 所以 read_num_temp 的范围 0 -- （1024 / 4 - 1）
// 读取一个地址的时候，读取的是一个字，4个字节，所以一次需要跳过四个字节
unsigned long Flash_Read（unsigned long read_num_temp）
{
unsigned long read_dat_temp;
read_dat_temp = *（__IO uint32_t *）（0x08000000 + 1024 * 63 + read_num_temp * 4）;
while（FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY）; // 等待BSY清零
return read_dat_temp;
}
史海拾趣
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