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2020年02月19日 | Leti联合IRIG开发CMOS制程的量子集成电路
2020-02-19 来源:EEWORLD
CEA-Leti和CEA-IRIG联合开发了第一个在CMOS芯片上带有量子点的量子集成电路,该芯片采用28nm FD-SOI工艺制造,集成了模拟和数字功能(多路复用器,缓冲器,信号放大器,振荡器,电平转换器等)。
这项研究还证明了CEA-Leti在FD-SOI技术中的低温仪器方面的专有技术,还可以用于其他非硅量子设备,例如超导量子位。该论文的主要作者LoïckLe Guevel解释说,量子集成电路是一种概念验证电路,它将微电子基准测试和量子点结合在一起,并在有限的功率预算内在低于开尔文的温度下工作。
量子硅器件使用了设计先进电路所需的所有元素,并且通过FD-SOI实现电路设计人员可以使用经典电子技术在IP模块中嵌入式qubit阵列,以构建定制的大规模量子硅处理器。
史海拾趣
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