2020年02月19日 | 高通推出全球首颗5nm基带芯片骁龙X60 四大亮点解读

MWC33年来首次停办虽然一定程度上影响了产业链各方的热情，但全球5G发展的强势劲头并不会受到延缓。

今日，高通重磅发布了第三代5G基带芯片，采用全球首颗5纳米制程工艺的骁龙X60，将5G带入5nm时代。此外，与骁龙X60搭配全新的QTM535 毫米波天线模组，ultarSAW薄膜滤波器技术也一并亮相，标志着高通射频业务的进一步完善。全新的基带芯片以及射频解决方案的发布，也意味着高通在将5G 芯片的性能提升到新的高度的同时，再次实现对于全球5G网络部署的加速推动。

5nm加持旗舰SoC有望

从2017年的X50到2019年的X55，作为全球领先的芯片设计企业，在推动全球5G部署方面，高通一直扮演者“急先锋”的角色。如今，时隔一年之后，高通又将新一代全球顶尖的5G基带芯片带到世人面前。

5nm是此次发布的骁龙X60第一个亮点。高通率先将5G带入5nm节点，而在5nm加持之下，芯片的功耗、性能和成本方面的表现也将更加显著，使得5G基带芯片的能效更高、占板面积更小。从性能指标上看，X60可以达到最高达7.5Gbps的下载速度和3Gbps的上传速度。

5nm带来的影响可能在于外界一直关注的高通何时推出旗舰5G SoC芯片上。目前高通在旗舰5G芯片上仍然采用AP外挂基带的方式（如骁龙865+X55），而在高通芯片上如骁龙765则实现了集成。高通方面表示，至于外挂还是集成，完全是出于满足性能要求而考虑，高通绝不要仅为了做一颗SoC，而牺牲掉AP和基带的性能。

一位通信行业人士看来，目前7nm的工艺条件下，可能不足以支持旗舰5G SoC的性能要求，特别是在毫米波频段，对于芯片的面积和功耗都提出了十分大的挑战。由于高通面向全球的运营商以及终端厂商等广泛客户，相比于竞争对手的芯片仅仅支持有限频段的毫米波而言，要实现对于5G网络的全面支持面对的挑战更大，这可能是目前高通的5G芯片普遍采用外挂式基带的原因，但其表示5nm制程在晶体管密度和性能上有比较大的提升，5nm节点实现旗舰5G SoC存在可能。

高通方面表示目前骁龙865只能搭配X55使用，对于X60能否搭配骁龙865，目前没有这样的规划。照此分析，骁龙X60应该会搭配高通下一代的旗舰AP使用，如果不出意外，高通的下一代旗舰AP也将会采用5nm制程，因此，高通下一代5G旗舰芯片在5nm上实现集成有非常大的想象空间。

目前高通最新的旗舰5G芯片（骁龙865+X55）都是由台积电代工。高通今日并没有透露5nm工艺的代工方。高通方面表示，将于今年一季度末对骁龙X60和QTM535进行出样，搭载该方案的商用旗舰智能手机预计于2021年初推出。

而根据早前韩国媒体报道称，高通的下一代5G旗舰芯片骁龙875由台积电代工，采用台积电的5nm工艺制造，内部集成5G基带，预计2020年底发布，用于2021年出上市的旗舰智能手机。

“玩转”载波聚合提升网络性能

骁龙X60的另一大亮点在于强大的载波聚合能力。在业内人士看来，载波聚合的能力一直是高通的传统优势，其在4G时期也率先发布了在载波聚合方面的技术，将全球运营商的不同、零散的频段很好地整合在一起，如今进入5G时代，全球运营商的频段更加多样和复杂，高通则将载波聚合一优势能力继续放大。

高通产品市场高级总监沈磊表示，因为每个国家和地区的频谱和频段划分不一致，从全球来看频谱和频段复杂性非常高。载波聚合能够把6GHz以下和毫米波这些离散的、各有特性的频谱聚合在一起，提供更好的用户体验，更好的识别率、覆盖率、网络容量。此外，毫米波和6GHz以下频段随着频谱的升高或降低，它的频宽、速率还有覆盖性都会发生变化，各具特性，载波聚合可以灵活地根据实际可用的频谱来优化网络的特性。

X60强调的载波聚合能力更加着眼于下一阶段全球的5G演进过程，比如毫米波以及6GHz以下的频率共存，以及全面向独立组网（SA）迁移的趋势，通过进一步实现5G频段的聚合和高效利用，提升网络容量和速率。

骁龙X60成为全球首款支持毫米波- 6GHz以下聚合的5G调制解调器及射频系统，它能够为运营商提供全面丰富的选择，帮助运营商最大程度地利用频谱资源，以兼顾实现最优网络容量及覆盖。 

此外，除了支持5G FDD-FDD和TDD-TDD载波聚合以及动态频谱共享（DSS）之外，骁龙X60还包含全球首个6GHz以下频段5G FDD-TDD载波聚合解决方案。该解决方案为运营商提供了包括重新规划LTE频谱在内的广泛5G部署选项和能力，帮助运营商有效提高平均网络速率，加速5G扩展。与不支持载波聚合的解决方案相比，独立组网模式下的6GHz以下频段的5G TDD-TDD 的载波聚合，相比于骁龙X55，能够实现5G独立组网峰值速率翻倍。

沈磊表示，关注广泛的频谱聚合特性，为运营商的5G部署提供了最高的灵活性，这是未来几年对全球宝贵和复杂的5G频谱进行充分利用、推动5G在全球进一步部署的重要特性。

支持VoNR 加速向5G SA演进

如今，全球5G发展势头强劲。根据GSMA发布的截止到今年1月的最新数据，目前全球运营商部署5G网络超过45家，有超过40家终端厂商宣布发布5G终端，超过115个国家的340多家运营商对5G进行投资。

5G带来巨大的射频复杂性，5G发展早起就有超过10000个频段组合。在沈磊看来，终端设备如何支持和处理如此规模的频段，无论是对于芯片还是手机厂商而言，都是一个巨大挑战，终端对于射频的适应性和支持程度，也成为推动5G发展的重要使能因素。

此外，全球5G网络将有NSA向SA过度。在多网络架构，多频段的情况下，终端侧需要提供很好的支持能力。

“无论是在今后运营商的网络部署还是消费者体验提升方面，载波聚合都是重要的能力。在骁龙X55上高通已经提供支持，而骁龙X60则将这方面的能力提升到新的高度，能够满足全球主要频段的要求。”沈磊告诉记者。

此外，骁龙X60还能够支持VoNR（Voice over-NR），这将成为全球移动行业从非独立组网向独立组网模式演进的重要一步，目前普遍使用的语音通话主要通过4G的VoLTE，但随着5G网络架构从NSA到SA演化，在SA部署之后，核心网的结构都是基于5G，将不存在支持4G的语音网络结构，因此VoNR成为必须，将帮助移动运营商利用5G新空口提供高质量语音服务。 

据了解，全球几乎所有5G网络最初都是以非独立组网（NSA）模式部署起步的。换言之，利用LTE锚点频段来支持5G数据链路。NSA将逐渐向SA演进，SA模式下的网络连接为5G NR专有链路，而无需LTE锚点。骁龙X60所支持的关键功能，例如毫米波-6GHz以下聚合、6GHz以下频段FDD-TDD聚合、新空口承载语音（VoNR）以及动态频谱共享（DSS），都将帮助运营商加速向5G SA模式的演进。

射频业务进一步完善

正是由于射频在未来5G演进过程中，扮演者重要的角色。从高通的第一代5G基带芯片X50开始，基带芯片便和其射频前端解决方案紧密地联系在一起。

尽管高通何时推出集成的5G芯片解决方案现在仍是未知数，但是基带和射频现在成为打包已经成为高通5G 解决方案的标签。如今，高通的第三代毫米波天线模组——QTM 535也同时推出。

据高通方面介绍，QTM 535较上一代产品具有更小巧紧凑的设计，更窄，面向设计时尚的全新顶级手机打造，而且能够提供增强的毫米波性能。支持全球毫米波频段（26GHz、28GHz、39GHz）。

实际上，在上一代产品QTM 525中，以达到能够支持厚度不超过8毫米的5G智能手机设计，此次新一代毫米波天线模组的推出，将在未来支持更加纤薄的智能手机产品。

此次发布值得关注的亮点还在于，高通宣布推出了ultraSAW薄膜式射频滤波器技术。这意味着在收购RF360进军射频领域之后，经过几代技术产品的研发，高通的射频业务更加完善。

滤波器和天线、功放等都是射频RF系统的重要组成部分。目前主流的滤波器氛围BAW和SAW两种据。高通方面表示，ultraSAW薄膜式射频滤波器技术能够提供更加出色的发射、接受和交叉隔离能力，品质因素高达5000，高通方面能够提供包括模组和分离式滤波器在内的产品。

实际上，射频业务很早就被高通视为潜在的业务增长点，如今，射频业务进一步完善之后，将进一步助推高通在5G方面的引领和成功，高通最新一季度的财报显示，高通的射频业务营收同比和环比均提高50%，呈现出极大的增长潜能。

一位射频行业人士告诉记者，传统的SAW Q值（品质因素）通常在500到1000，温度补偿(TC-SAW)型滤波器在1500到2000，能够达到5000的Q值已经具备非常高的性能，已经达到高阶的BAW的指标，而且成本上更加经济。

高通方面表示，将在多条产品线中集成ultraSAW技术，包括功率放大器模组（PAMiD）、前端模组（FEMiD）、分集模组（DRx）、Wi-Fi分离器、GNSS分离器和射频多工器。采用Qualcomm ultraSAW技术的一系列分立式和集成式产品于2020年第一季度开始量产，OEM厂商采用该技术推出的商用旗舰终端预计于2020年下半年推出。