2020年04月15日 | MSP430单片机学习(一)——Flash读写操作

声明：本文以MSP430F2122为例说明Flash读写操作。

一、MSP430F2122的FLASH结构

FLASH模块结构图如图一

    图一

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器分为主存储器和信息存储器。主存储器根据不同的容量分为若干段（segment）每个段为512字节，每一个段又有四个块（block），每个块为64字节；信息存储器分为SegmengA、SegmentB、SegmentC和SegmentD，其中每个段各有64个字节。如图二所示

图二

二、FLASH模块的寄存器

相关的寄存器有：FCTL1、FCTL2、FCTL3和IE1

图三

图四

图五

图六

图七

三、FLASH读写的软件实现

FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。

void flash_clr(int *ptr)

{

     _DINT();                               //关中断

     FCTL3 = 0x0A500;              //* Lock = 0 开锁

     FCTL1 = 0x0A502;              //* Erase = 1 使能擦除

    *((int *) ptr) = 0;                  //* 擦除段

}

FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。

       // 字节写入

void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)

{

     _DINT();

     FCTL3 = 0x0A500;          // Lock = 0 开锁

     FCTL1 = 0x0A540;          // Write = 1使能写入

    *((int8_t *) ptr) = value;       // 写入数据

}

    // 字写入

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)

{

     _DINT();

     FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */

     FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */

     *((int16_t *) ptr) = value;       /* Program the flash */

}

   FLASH存储器可以连续写入

   // 按字节写入指定的数量的数据

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

    _DINT();

     FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */

    FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */

    while (len)

   {

      *ptr++ = *from++;

        len--;

   }

}

    在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中，例如：

typedef struct Setup

{

     float gain_ch0;       // 0通道增益

     float gain_ch1;       // 1通道增益

     float gain_ch2;       // 2通道增益

     …

     char init_flag;         //初始化标记，恒为0xAA;

}SETUP;

我们定义了一个SETUP结构，存放三个AD通道的增益，以及其他要掉电保存的信息，init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH参数后，将init_flag置一个固定值，例如设为0xAAh，在程序开始运行时，检查init_flag，当init_flag的值为0xAAh时，表明参数已被初始化。

使用FLASH参数：在程序中定义一个SETUP类型的指针变量，通过这个指针访问FLASH中的参数。例如：

#define SegmentA   0x1080

float   temp;

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

{

     temp = p_setup_flash->gain_ch0;

}

   修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一样直接修改，可以将FLASH信息拷贝到RAM中，修改相应参数后，重新保存到FLASH存储器中，之前要先擦除FLASH存储区。例如：

SETUP *p_setup;

SETUP   buf;                // 临时变量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM

p_setup = &buf;           // 指向RAM

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH