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2020年09月22日 | Nexperia第二代动力氮化镓场效应晶体管使电动汽车更高效

2020-09-22

据外媒报道,Farnell将把Nexperia的第二代动力氮化镓场效应晶体管(GaN FET)推向市场。这类晶体管体积小,密度和效率较高,可以降低开发高效系统的成本,并具有改变电动汽车动力性能的潜力。


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eenews


随着立法越来越严格,对减少C02排放的呼声愈发强烈,这些创新GaN FET给设计师们带来了便利,推动向更有效的电力转换转变,并提高电气化水平。


GaN技术克服现有技术的许多局限,如硅基IGBT和SiC,直接或间接提高整个功率转换应用的性能。在电动汽车中,GaN技术可直接减少电力损耗,避免影响车辆的续航里程。功率转换效率更高,也可以减少对散热系统的需求,帮助车辆减轻重量,降低系统复杂性,使运行里程更长,或在相同的里程内使用更小的电池。Power GaN FET也适用于数据中心、电信基础设施和工业应用。


GaN FET可在不同系统中提供优异的性能,比如硬开关AC-DC图腾柱PFC应用,全桥LLC移相(谐振或固定频率)软开关应用,所有DC-AC逆变器拓扑和使用双向开关的AC-AC矩阵变换器等。


主要优点包括:


简单的栅极驱动,低导通电阻RDS(on),快速开关;


优质体二极管(低正向电压降Vf),反向恢复电荷低;


高强度;


低动态导通电阻;


稳定的开关;


防闸极回跳(Vth ~ 4v)。


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