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2020年10月21日 | h-BN研究新进展，我国学者在其表面制备出手性可控石墨米带
2020-10-21 来源：爱集微
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王浩敏团队关于六角氮化硼（h-BN）的研究取得新进展，首次在其表面成功制备出手性可控的石墨烯纳米带（GNR），并进行了输运性质研究。
在这项研究中，团队成员利用不同金属纳米颗粒在h-BN表面刻蚀出边缘平直且沿特定取向的具有单原子层厚度的沟槽，然后，通过化学气相沉积法在沟槽中制备出宽度小于5纳米的高质量取向可控GNR。通过与国外课题组合作，借助扫描透射电子显微镜揭示了石墨烯和h—BN边界处的面内外延生长方式，并且制备得到的GNR边缘原子级平整。
进一步的电输运测量结果表明，所有亚5纳米宽度的锯齿型GNR（ZGNR）都显示出大于0.4 电子伏特的带隙，而窄的扶手椅型GNR（AGNR）的带隙随宽度变化较大。
此外，在8—10 纳米宽的ZGNR的转移曲线中观察到明显的电导峰，而在大多数AGNR中却没有观测到。同时，GNR的磁输运研究表明，ZGNR具有较小的磁导，而AGNR具有更高的磁导值。
据科学网报道，专家表示，该研究成果是首次成功将手性可控的石墨烯纳米带面内集成在h—BN晶格中，是面向开发具有原子层厚度的高性能集成电路迈出的重要一步，为实现操控和堆垛具有极薄厚度的复杂纳米集成电路提供了的新途径。
目前，相关研究成果已在线发表于《自然—材料》。
史海拾趣
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