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2020年12月11日 | 戴尔采用Navitas的GaNFast IC作为笔记本适配器快充

2020-12-11 来源:EEWORLD

Navitas半导体公司表示,戴尔首次使用其GaNFast氮化镓(GaN)技术的功率IC。


Navitas成立于2014年,推出了据称是首款商用GaN功率IC。该公司表示,其专有的“AllGaN”工艺设计套件(PDK)将GaN功率场效应晶体管(FET)与GaN模拟和逻辑电路单片集成,从而为移动,消费类,企业级,电动汽车和新能源市场应用提供了更快的充电速度,更高的功率密度和更多的能耗节省。


戴尔USB-C增强型电源适配器PA901是一款双输出快速充电器,可通过USB-C电缆提供90W功率,可为笔记本电脑进行大功率充电;另外,通过USB-A还可提供10W功率,可同时为智能手机充电。该适配器采用Dell Express Charge技术,在短短15分钟内将电源快速提升35%,并将在一小时内为Dell Latitude充到80%电量。


Navitas表示,GaNFast电源IC集成了具有驱动,控制和保护功能的GaN FET,与基于硅的解决方案相比,其功率密度为原来的三倍。值得注意的是,在已交付的超过900万颗GaNFast电源IC中,故障数量为零。


Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示,GaNFast技术可实现小尺寸,轻便和散热等愿景,这对于移动快速充电至关重要。他补充说:“戴尔采用快速充电的GaN对旧的,进步缓慢的硅技术是一次冲击。Navitas的设计,应用程序和质量团队与Dell进行了一系列严格的技术,性能和可靠性审查,以确保安全、成功地启动适配器。”


Dell适配器中使用了两种NV6117 GaNFast电源IC:一种用于临界传导模式(CrCM)升压功率因数校正电路(PFC),另一种用于DC-DC准谐振(QR)反激。该适配器是由Chicony Power Technology为Dell设计和制造的,并得到当地Navitas应用工程的支持。


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