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2021年01月11日 | Vishay推出100 V p沟道MOSFET，导通电阻更低，面积更小
2021-01-11 来源：EEWORLD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW，达到业内优异水平。
日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26 %和46 %，占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗，从而节省能源，10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC，减少栅极驱动损耗。
这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。
器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。
史海拾趣
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