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2021年01月15日 | 长江存储辟谣试产192层3D NAND报道
2021-01-15 来源：网络整理
日经亚洲评论12日引述未具名消息人士报导，长江存储计划在2021下半年，将存储器芯片的月产量倍增至10万片硅晶圆，约占全球产出7%。相较之下，全球最大NAND 型快闪存储器制造商三星的月产出为48万片硅晶圆，美国最大存储器厂商美光（Micron Technology, Inc.）则月产18万片硅晶圆。
除了扩产现有芯片，长江存储也打算加快科技发展进程，近期，有消息人士表示，长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。此外，计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆。
当然，消息补充称，由于192层工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。
对于上述消息，1月13日长江存储发出《声明》称“均为不实言论” 。长江存储强调，关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。
史海拾趣
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